ЭПР в кремнии, аморфизированном ионной имплантацией

Методом непрерывного насыщения изучен характер уширения линий ЭПР парамагнитных дефектов с ${g=2.0055}$, возникающих в кремнии после имплантации ионов Аr$^{+}$ и As$^{+}$ с энергией ${E=100}$ кэВ в интервале доз ${D=3\cdot10^{12}\div3\cdot10^{15}\,\text{см}^{-2}}$.
Измерены вклады однородной ($\Delta H_{s}$) и неоднородной частей в общую ширину линий ЭПР $\Delta H_{pp}$, времена спин-решеточной релаксации (СPP), средняя концентрация дефектов в зависимости от дозы имплантирующих ионов.
Сделан вывод, что причиной неоднородного уширения линий ЭПР в кремнии, аморфизированном ионной имплантацией, является «поликристаллическое» распределение отдельных аморфных областей, линии ЭПР которых формирует однородный вклад в $\Delta H_{pp}$. Показано, что характер уширения линий ЭПР и относительный вклад $\Delta H_{s}$ в $\Delta H_{pp}$ тесно связаны с постепенным разупорядочением кристаллической решетки и образованием аморфного слоя по мере возрастания$D$.