RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 3, страницы 457–461 (Mi phts107)

Спектры ИК поглощения пленок аморфного гидрогенизированного кремния

Л. А. Балагуров, Л. С. Иванов, Н. Ю. Карпова, Э. М. Омельяновский, М. Н. Стариков, Н. К. Устинова, Д. П. Уткин-Эдин

Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет"

Аннотация: Исследованы спектры оптического поглощения в области валентных ($2000{-}2100\,\text{см}^{-1}$) и деформационных (630 и 890 см$^{-1}$) колебаний SiH-связей в пленках $a$-Si : Н, полученных методом разложения моносилана в тлеющем разряде. Сила осциллятора $\Gamma_{\text{eff}}$ продольных колебаний связей SiH, найденная при изучении ИК спектров в образцах, содержащих водород только в форме SiH, существенно зависит от концентрации водорода $C_{\text{H}}$. С ростом $C_{\text{H}}$ от 5 до 15% величина $\Gamma_{\text{eff}}$ увеличивается в 2 раза, при этом также наблюдаются заметное уширение полосы 2000 см$^{-1}$ и сдвиг ее максимума в сторону больших энергий. Показано, что величина предельной растворимости водорода в форме SiH может достигать 16%. Сделана оценка сил осциллятора групп SiH$_{2}$ для полос 2100 и 890 см$^{-1}$.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 21.06.1984
Принята в печать: 06.09.1985



© МИАН, 2024