RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 2, страницы 282–285 (Mi phts1072)

Зависимость края поглощения SnSe от гидростатического давления

Г. Р. Валюконис, Д. А. Гусейнова, Г. З. Кривайте, А. Ю. Шилейка


Аннотация: Представлены результаты исследований края фундаментального поглощения орторомбического слоистого соединения SnSe при 295 K в условиях гидростатического давления до 600 МПа. Определены коэффициенты давления наименьших прямых межзонных зазоров ${dE_{a}/dP=-(0.65\pm0.05)\cdot10^{-4}}$ эВ/МПа и ${dE_{b}/dP=-(1.3\pm0.1)\cdot10^{-4}}$ эВ/МПа для поляризации света ${E\parallela}$ и света ${E\parallelb}$. На основе полученных данных обсуждается спектральная зависимость коэффициента поглощения SnSe в области фундаментального края.



© МИАН, 2024