RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 2, страницы 296–299 (Mi phts1075)

Различие процессов образования дефектов под действием гамма-лучей в $p$-кремнии при 6.5 и 78 K

В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец


Аннотация: Проводилось сравнение процессов образования точечных дефектов в $p$-кремнии, возникающих под действием гамма-облучения при 6.5 и 78 K. Анализ результатов настоящей работы и литературных данных показал, что процессы образования дефектов сильно различаются для двух температурных интервалов ${T_{\text{обл}}\lesssim20}$ и ${T_{\text{обл}}\approx80{-}100}$ K. В частности, повышение температуры облучения до $\sim80$ K сильно подавляет процесс образования свободных вакансий.
Экспериментально показано, что сечение взаимодействия примесных атомов бора с собственными точечными дефектами практически одинаково для температур облучения 6.5 и 78 K (${\sim5\cdot10^{-28}\,\text{см}^{2}}$), а суммарное сечение образования дефектов донорного типа возрастает примерно в 3 раза при повышении температуры облучения от 6.5 до 78 K (с ${\sim5\cdot10^{-28}}$ до ${\sim1.5\cdot10^{-27}\,\text{см}^{2}}$).



© МИАН, 2024