Статическая диэлектрическая проницаемость бесщелевых полупроводников Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te

Методом магнитоплазменной отсечки по положению минимума на зависимости коэффициента отражения СВЧ волны длиной ${\lambda=1.5\div2.7}$ мм от магнитного поля измерена статическая диэлектрическая проницаемость $\varkappa$ бесщелевых полупроводников Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te $n$- и $p$-типа с ${x=0.14\div0.15}$ и концентрациями электронов ${n=7\cdot10^{13}\div6\cdot10^{14}\,\text{см}^{-3}}$ при температурах 1.7, 4.2 K. Для образцов $n$-типа с ${n\gtrsim4\cdot10^{14}\,\text{см}^{-3}}$ измеренные значения ${\varkappa\simeq24}$ хорошо согласуются с теоретическими оценками, учитывающими вклад межзонных переходов между валентной зоной и зоной проводимости ${\Gamma_{8}\to\Gamma_{8}}$. Завышенные значения ${\varkappa\simeq35\div40}$ для образцов $p$-типа с ${n\lesssim1.5\cdot10^{14}\,\text{см}^{-3}}$ связываются с дополнительной поляризацией $n$- и $p$-микрообластей, образующихся в бесщелевом полупроводнике из-за неоднородного распределения заряженных примесей, когда амплитуда флуктуаций примесного потенциала сравнима с энергией Ферми.