Физика и техника полупроводников,
1985, том 19, выпуск 2,страницы 333–336(Mi phts1089)
Краткие сообщения
Двумерный электронный газ с высокой подвижностью в специально
нелегированных гетероструктурах GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, выращенных
методом жидкофазной эпитаксии