RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 2, страницы 333–336 (Mi phts1089)

Краткие сообщения

Двумерный электронный газ с высокой подвижностью в специально нелегированных гетероструктурах GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, выращенных методом жидкофазной эпитаксии

В. А. Волков, Д. В. Галченков, И. М. Гродненский, М. И. Елинсон, О. Р. Матов, К. В. Старостин, О. В. Чернышева




© МИАН, 2024