Дислокационные экситоны в полупроводниках

Проведено исследование электронной структуры экситона, локализованного на дислокации в кремнии, при одновременном учете возмущения, вносимого ядром дислокации и полем деформационного потенциала. Расчет энергии связи экситона, у которого возбуждены состояния поперечного движения электрона и дырки, позволяет объяснить природу полос $D3$, $D4$, $D6$ в спектре дислокационной люминесценции кремния. Предсказано положение пиков люминесценции в еще экспериментально не исследованной области длин волн ${\lambda> 1700}$ нм.