Аннотация:
Исследована субмиллиметровая люминесценция
$p$-Ge в сильных $E,H$ полях в полосах чувствительности
фотоприемников Ge$\langle$Ga$\rangle$, $n$-GaAs и
$n$-InSb и выявлены основные механизмы излучения горячими дырками.
Выделена доля излучения, связанного с прямыми оптическими переходами между
подзонами легких (2) и тяжелых (1) дырок, что позволило
исследовать инверсию 2$-$1 переходов и условия усиления
субмиллиметрового излучения свободными носителями.