Вольтамперные характеристики полупроводников при поперечном пробое

Рассчитаны вольтамперные характеристики образцов $n$-InSb (${T=77}$ K) при магнитоконцентрационном эффекте (МКЭ) с учетом поперечного пробоя (ПП). Объяснены особенности поведения ВАХ при изменении магнитного поля. Получены приближенные критерии пробоя при МКЭ. Вычислено значение внешнего электрического поля ($E_{0}$), при котором возникают заметные признаки пробоя, в зависимости от магнитного поля. Для этого определялись ВАХ вида ${I\bigl(\bar{E}_{\text{п}}=(E^{2}_{0}+\bar{E}^{2}_{X})^{1/2}\bigr)}$ и изменение среднего холловского поля $\bar{E}_{X}$ с ростом $E_{0}$ при ПП.