Контактные явления в полупроводнике с двойным протеканием

В компенсированных полупроводниках возможны ситуации, когда концентрации электронов и дырок на своих уровнях протекания превышают каждая собственную концентрацию. При этом бесконечны размеры как кластера с преимущественно электронной проводимостью, так и кластера с преимущественно дырочной проводимостью, а удельная проводимость каждого из них велика сравнительно с удельной проводимостью $p{-}n$-перехода между ними, обусловленной генерационно-рекомбинационными процессами или зинеровским туннелированием.
В неравновесной ситуации в каждом из кластеров существует свое среднее электрическое поле, а внутреннее напряжение между кластерами управляется дифференциальным уравнением типа нелинейного уравнения биполярной диффузии и дрейфа. В линейном пределе это уравнение вырабатывает длину релаксации неравновесного состояния типа длины диффузионного смещения, намного превышающую характерный размер неоднородности.
Рассмотрена проводимость $p{-}n$-перехода, одна из сторон которого — полупроводник с двойным протеканием. Показано, что она значительно выше проводимости нормального перехода и по-иному зависит от электрического смещения.