RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 3, страницы 449–455 (Mi phts1115)

Расчет пороговых токов для InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС лазеров с раздельным ограничением

Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, С. Ю. Карпов, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин


Аннотация: Рассматриваются методика и результаты расчетов пороговых плотностей тока для инжекционных гетеролазеров с раздельным ограничением, толщина активной области в которых варьируется в пределах ${10^{-2}\div1}$ мкм. При расчетах учитывается зависимость от толщины активной области ($d$) не только фактора оптического ограничения, но и различных типов потерь. Показано, что величина потерь на выход существенно влияет на характер зависимостей порогов от $d$: в отсутствие потерь на выход имеет место почти линейный спад пороговых плотностей тока с уменьшением толщины активной области, а при больших потерях на выход спад порогов с уменьшением $d$ замедляется или вообще прекращается.



© МИАН, 2024