RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 3, страницы 456–459 (Mi phts1116)

Инжекционный непрерывный лазер с мощностью 60 мВт на сонове жидкофазной РО InGaAsP ДГС (${\lambda=1.35}$ мкм, ${T=300}$ K)

Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов


Аннотация: Сообщается об изготовлении и исследовании InGaAsP/InP ДГС лазеров (${\lambda= 1.35}$ мкм) на основе жидкофазных эпитаксиальных гетероструктур с раздельным ограничением, имевших толщину активной области около 0.06 мкм. В оксидных полосковых лазерах пороговые плотности тока сильно зависят от длины резонатора, а дифференциальная эффективность составляет 30$-$50% как в «коротких», так и в «длинных» образцах. В непрерывном режиме работы таких лазеров достигнуты мощности 60 мВт при воздушном радиаторе и 110 мВт при водяном охлаждении теплоотвода.



© МИАН, 2024