RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 3, страницы 481–485 (Mi phts112)

Электропроводность теплых дырок в дислокационном теллуре

А. Кроткус, З. Мартунас, А. Шяткус

Институт физики полупроводников АН ЛитССР

Аннотация: В монокристаллах $p$-Те измерена температурная зависимость коэффициента нелинейности электропроводности в интервале температур 65$-$300 K. Установлена зависимость коэффициента $\beta$ от плотности дислокаций в кристалле. По частотной зависимости электропроводности при 78 K определена инерционность процессов, связанных с изменением как подвижности носителей заряда, так и их концентрации в электрическом поле.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 11.07.1984
Принята в печать: 07.10.1985



© МИАН, 2024