Физика и техника полупроводников,
1985, том 19, выпуск 3,страницы 473–479(Mi phts1120)
Собственные точечные дефекты в бездислокационных кристаллах кремния,
сильно легированных мышьяком
Н. А. Анастасьева, В. Т. Бублик, А. Н. Морозов, О. Ю. Трокина
Аннотация:
Методом прецизионных измерений периода решетки,
плотности, холловской концентрации носителей заряда и их подвижности
исследована природа точечных дефектов в бездислокационных кристаллах Si,
сильно легированных As. Показано, что при концентрациях As в Si выше
${3\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}}$ основными точечными дефектами в таких
кристаллах являются комплексы $V_{\text{Si}}{-}\text{As}_{\text{Si}}$.
На основе статистики Ферми для электронов и квазихимического приближения для
точечных дефектов построена статистика вакансионно-примесных комплексов
в сильно легированных полупроводниках и выведены энергетические критерии
сильного высокотемпературного и низкотемпературного комплексообразования.
Показано, что при высоких температурах (${T\sim1350^{\circ}}$С) вакансии
в бездислокационных кристаллах Si образуются преимущественно по механизму
Френкеля, что приводит к генерации большого количества собственных
междоузельных атомов, обладающих высокой подвижностью при
комнатной температуре.