Координатная зависимость разности коэффициентов в варизонной $p{-}n$-структуре

Определены зависимость разности коэффициентов ударной ионизации дырок $\beta$ и электронов $\alpha$ от координаты фотогенерации электронно-дырочных пар и ширина области умножения в варизонной $p{-}n$-структуре по спектральной зависимости коэффициента лавинного умножения с учетом размытия края поглощения вследствие эффекта Франца–Келдыша.
Объектами исследования служили изопериодические варизонные Ga$_{1-x}$Al$_{x}$Sb$_{1-y}$As$_{y}$ $p{-}n$-структуры с ${x=0.1}$ и ${y=0.008}$ в плоскости $p{-}n$-перехода и градиентом ширины запретной зоны ${\nabla E_{g}=500}$ эВ/см, направленным от $p$- к $n$-области, с плавным $p{-}n$-переходом и напряжением пробоя около 25 В.
Координатная зависимость $\beta{-}\alpha$ в исследованных структурах имеет максимум, смещенный относительно плоскости $p{-}n$-перехода на 0.6 мкм в сторону, соответствующую составам с меньшим $x$, что обусловлено наличием $\nabla E_{g}$ в $p{-}n$-структурах. Величина $\beta{-}\alpha$ в максимуме равна ${1.6\cdot 10^{4}\,\text{см}^{-1}}$. Полуширина области умножения, определенная по координатной зависимости $\beta{-}\alpha$, составляет 1/3 слоя объемного заряда.