Особенности механизма проводимости в расплавах систем, образованных халькогенидами серебра

Исследованы электропроводность и термоэдс квазибинарных сплавов, образованных халькогенидами серебра, в широких диапазонах концентраций и температур как в твердом, так и в жидком состоянии.
Показана инверсия знака температурного коэффициента электропроводности при последовательном переходе от сульфида и селенида к теллуриду серебра в жидкой фазе.
Полученные результаты однозначно доказывают падение электропроводности при нагреве расплавов сульфида и селенида серебра. Наблюдаемая картина объяснена на основе рассмотрения влияния роли двух факторов, противоположно влияющих на характер температурной зависимости электропроводности: увеличения концентрации электронов за счет их термической генерации при нагреве расплавов, что приводит к росту проводимости, и снижения подвижности их за счет увеличения числа заряженных рассеивающих центров в результате усиления диссоциации Ag$_{2}$S и Ag$_{2}$Se при нагреве расплавов, что приводит к снижению проводимости. Отмечено, что полученные данные полезны при разработке термо- и фотопреобразователей энергии на основе халькогенидов серебра.