Исследование влияния несоответствия параметров решеток эпитаксиальных слоев на люминесцентные свойства гетероструктур InGaAsP/InP, излучающих на длине волны ${\lambda=1.5}$ мкм

Исследовано влияние несоответствия параметров решеток эпитаксиальных слоев на электро- и катодолюминесценцию двойных гетероструктур InGaAsP/InP, излучающих на длине волны ${\lambda= 1.5}$ мкм. Показано, что напряжения несоответствия даже в области чисто упругих деформаций решеток могут на порядок снижать эффективность электролюминесценции, причем наиболее эффективными являются структуры, изорешеточные при температуре эпитаксии. При комнатной температуре активный слой в таких гетероструктурах находится под действием небольших напряжений растяжения. Исследованы микрокатодолюминесцентные изображения эпитаксиальных слоев в монохроматическом свете и показано, что дефектная структура слоев зависит от величины и знака несоответствия параметров решеток. С помощью вольтъемкостных измерений показано, что рассогласование параметров решеток может существенно ухудшать электрические характеристики гетероперехода, вызывая появление «болтающихся связей» на гетерогранице.