Аннотация:
Изучалась зависимость скорости CHSH-процесса межзонной
оже-рекомбинации от рассогласования зонных параметров
$E_{g}$ и $\Delta_{0}$. С этой целью измерялись времена жизни фотоэлектронов
в сильно легированных кристаллах
Ga$_{1-x}$In$_{x}$Sb $p$-типа в условиях преобладания CHSH-процесса. Было
обнаружено замедление CHSH-процесса по мере увеличения разности значений
$\Delta_{0}$ и $E_{g}$ с изменением состава кристаллов. Влияние
рассогласования параметров $E_{g}$ и $\Delta_{0}$ оказалось заметно слабее
имевшихся теоретических предсказаний для случая невырожденного
распределения носителей. Это отличие объясняется глубоким проникновением
уровня Ферми в валентную зону исследовавшихся сильно легированных
кристаллов.
Показано, что уменьшение скорости CHSH-процесса в кристаллах GaSb
с температурой также вызывается эффектом рассогласования величин
$E_{g}$ и $\Delta_{0}$ вследствие температурного
сужения запрещенной зоны.
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию: 12.08.1985 Принята в печать: 07.10.1985