Переход полупроводник–диэлектрик в слабо легированных термообработанных полупроводниках

С помощью оптической поляризации ядерных моментов обнаружено пространственно неоднородное распределение термоакцепторов в слабо легированном монокристаллическом кремнии, которое приводит к критическому поведению электропроводности.
Экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с расчетами точки перехода, полупроводник–диэлектрик и соответствующего критического индекса электропроводности.