RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 4, страницы 627–631 (Mi phts1154)

Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant 1}$)

М. В. Валейко, И. И. Засавицкий, В. Л. Кузнецов, А. В. Курганский, Б. Н. Мацонашвили


Аннотация: Методом фотолюминесценции (ФЛ) определена зависимость ширины запрещенной зоны $E_{g}$ от состава $x$ для твердого раствора PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant 1}$) при температурах 4.2 и 77 K. Путем сравнения экспериментальных результатов с теорией уточнены значения параметров гибридизации $w_{+}$ и $w_{-}$, характеризующие зонную структуру PbSe и РbТе.



© МИАН, 2024