Аннотация:
В интервале 55$-$100 K методами, основанными на измерении
поперечного фотовольтаического эффекта в многодолинных полупроводниках,
определены междолинные релаксационные параметры в слабо легированном кремнии.
В указанном диапазоне температур объемное время междолинной релаксации
электронов $\tau_{i}$ изменяется в пределах
${5\cdot10^{-9}\div7\cdot10^{-11}}$ с, скорость поверхностной междолинной
релаксации $\sigma_{i}$ — в пределах ${3\cdot10^{5}\div2\cdot10^{6}}$ см/с.
Результаты, полученные на образцах $n$- и $p$-Si, практически
совпадают между собой.