RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 3, страницы 499–502 (Mi phts116)

Оптическое поглощение, индуцированное импульсом излучения лазера, в тетрагональных кристаллах ZnP$_{2}$

П. Е. Мозоль, И. И. Пацкун, Е. А. Сальков, Н. А. Скубенко

Институт полупроводников АН УССР

Аннотация: Исследовано оптическое поглощение, индуцированное импульсом излучения лазера, в специально нелегированных кристаллах ZnP$_{2}$ $p$-типа при 300 K. Обнаружены полосы индуцированного поглощения с максимумами при 2.15, 2.04, 1.96, 1.90, 1.79, 1.63, 1.54, 1.51, 1.40, 1.33, 1.28 эВ и резкое возрастание поглощения при ${\hbar\omega_{2}< 1.22}$ эВ. Во всей области, спектра обнаружен линейно-циркулярный дихроизм (ЛЦД), соответствующий разрешенно-запрещенному типу двухфотонного поглощения. Анализ полученных результатов позволил определить характер оптических переходов, образующих наиболее интенсивные полосы.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 02.04.1985
Принята в печать: 16.10.1985



© МИАН, 2024