Эффект заполнения примесных уровней в спектрах поверхностно-барьерного электроотражения GaAs

Исследованы аномальные низкоэнергетические пики в спектрах краевого электроотражения GaAs, вопрос о происхождении которых до настоящего времени является дискуссионным. Отмечается, что амплитуда аномальных пиков зависит от содержания примесей в образце и от использованной обработки. Облучение малой дозой проникающей радиации приводит, в частности, к ослаблению (вплоть до исчезновения) аномальной структуры. Происхождение аномальных пиков в спектрах электроотражения GaAs связывается с модуляцией заполнения примесных уровней. Рассчитаны электрооптические функции этого эффекта. Показано, что привлечение указанного механизма позволяет объяснить форму и амплитуду наблюдаемых аномальных полос.