RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 4, страницы 687–691 (Mi phts1166)

Ослабление инжекции и эксклюзия, стимулированные магнитным полем

В. Н. Добровольский, Д. Л. Воробьев, С. П. Павлюк


Аннотация: При питании образцов мощными импульсами напряжения обнаружены возникающие в магнитном поле ослабление инжекции и эксклюзия носителей заряда. Они наблюдались на образцах германия с металлическими контактами и разным легированием и наиболее ярко проявлялись в материале с проводимостью, близкой к собственной, где увеличение сопротивления образца при включении магнитного поля с ${H \gtrsim2}$ кЭ достигало 2$-$3 порядков. Описанные эффекты объяснены сильным влиянием в приконтактных областях магнитного поля на токи входящих в полупроводник носителей заряда, которое возникает благодаря малой у контактов дрейфовой скорости этих носителей.



© МИАН, 2024