Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах с квантовыми ямами

Исследованы спектры фотолюминесценции двух структур с квантовыми ямами в системе GaAs$-$Al$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при различных температурах подложки (620 и $660^{\circ}$С) с примерно одинаковыми ширинами квантовых ям ${\sim11}$ нм и барьеров 8 нм. Показано, что в совершенной структуре ($660^{\circ}$С) преобладает экситонная люминесценция в широком интервале уровней возбуждения ($10{-}10^{3}\,\text{Вт/см}^{2}$) и температур (1.6$-$300 K). Минимальная полуширина экситонных пиков составляла 2.8 мэВ. В структуре, выращенной при более низкой температуре подложки, во всем исследованном диапазоне уровней возбуждения и температур доминирует примесное излучение, обусловленное захватом, носителей в квантовой яме на потенциале примесей и дефектов, расположенных в барьере в области интерфейса. Таким образом, потенциал примесей и дефектов, находящихся в AlGaAs-барьере, при их значительной концентрации может определять спектр состояний в квантовой яме.