Осцилляции интенсивности фотолюминесценции полумагнитного полупроводника Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в магнитном поле

В узкощелевом полумагнитном полупроводнике Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te (${x\sim0.13}$) при температуре ${T=4.2}$ K исследована зависимость от напряженности магнитного поля интенсивности фотолюминесценции (ФЛ), связанной с излучательными переходами «зона проводимости–акцептор».
При высоком уровне возбуждения обнаружены осцилляции интенсивности ФЛ, которые связываются с пересечением уровнем Ферми уровней Ландау. Показано, что наблюдение осцилляции интенсивности ФЛ позволяет оценить концентрацию неравновесных носителей при данном уровне возбуждения, а также параметр обменного взаимодействия электронов с ионами марганца ${N_{0}\alpha=-0.45}$ эВ.