RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 4, страница 780 (Mi phts1192)

Краткие сообщения

Исправление к статье «Об избыточных донорах в трансмутационно легированном кремнии, выращенном по методу Чохральского» (ФТП, 1984, том 18, вып. 9, с. 1642–1646)

Н. И. Акулович, М. А. Мороховец



 Англоязычная версия: Semiconductors, 1985, 19:4, 483

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024