RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 5, страницы 810–813 (Mi phts1198)

Скопления электрически активных примесей в монокристаллах фосфида индия

А. Н. Георгобиани, В. П. Калинушкин, А. В. Микуленок, Д. И. Мурин, А. М. Прохоров, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки


Аннотация: Проведено исследование неоднородностей в монокристаллах InP и InP : Fe методом малоуглового рассеяния света СO$_{2}$-лазера (${\lambda=10.6}$ мкм). Найдено, что размер основных неоднородностей в нелегированном InР составляет ${6\div7}$ мкм, а в InP : Fe — ${4\div5}$ и ${7\div8}$ мкм. Выяснено, что неоднородности с размерами ${6\div7}$ и ${7\div8}$ мкм представляют собой локальные области с повышенной концентрацией ионизированных при комнатной температуре центров. Обнаружено влияние отжига при 550 и $750^{\circ}$С на интенсивность рассеяния образцами InP и InP : Fe.



© МИАН, 2024