RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 66–72 (Mi phts12)

К теории физических свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS II. Фотопроводимость, сравнение с экспериментом

Л. Н. Неустроев, В. В. Осипов


Аннотация: Рассчитаны малосигнальная фотопроводимость и постоянная времени ее спада в фоточувствительных поликристаллических пленках типа PbS. Показано, что зависимость этих параметров от температуры носит активационный характер, и определены соответствующие энергии активации. Установлено, что в зависимости от концентрации поверхностных состояний величина фотопроводимости может определяться как модуляцией подвижности, так и модуляцией концентрации дырок. Выяснены условия, при которых энергии активации холловской концентрации дырок, проводимости, фотопроводимости и постоянной времени ее спада связаны соотношениями, установленными ранее экспериментально. Проведено количественное сопоставление результатов расчета энергий активации с экспериментальными данными.

Поступила в редакцию: 10.06.1985
Принята в печать: 09.07.1985



© МИАН, 2024