Емкостная спектроскопия радиационных дефектов, образующихся в переходном слое Si$-$SiO$_{2}$ при катодном напылении

Методом емкостной спектроскопии СС$-$DLTS исследованы свойства поверхностных состояний в МДП структурах, полученных путем катодного напыления SiO$_{2}$ в разряде магнетронного типа. Обнаружены характерные радиационные дефекты с энергией активации ${0.25\div0.45}$ эВ от дна зоны проводимости. Особенности эмиссии электронов с этих дефектов интерпретируются моделью пространственно распределенных свободных связей кремния в переходном слое между Si и SiO$_{2}$.