Поперечная фотоэдс, возникающая в германии при экстремальных уровнях лазерного возбуждения

Теоретически и экспериментально исследован поперечный фотовольтаический эффект, возникающий в образцах германия при их освещении импульсами сильно поглощаемого излучения с плотностью энергии ${\lesssim1\,\text{Дж/см}^{2}}$. Эффект возникает вследствие диффузии вырожденных неравновесных носителей заряда в анизотропной по электропроводности приповерхностной области полупроводника. Анизотропию проводимости создают термоупругие напряжения, понижающие симметрию кристалла. Результаты экспериментов удовлетворительно согласуются с расчетами в рамках тепловой модели лазерного отжига.