RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 5, страницы 869–873 (Mi phts1209)

Исследование спин-зависимой рекомбинации в пленках КНС

Ф. И. Борисов, Ю. В. Воробьев, В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов


Аннотация: Приводятся результаты исследований обнаруженной спин-зависимой рекомбинации в пленках кремния на сапфире (КНС). Определен механизм основных рекомбинационных переходов, найдены некоторые параметры модели: скорость межцентрового перехода ${W_{S}=3\cdot10\,\text{с}^{-1}}$, расстояние между парными центрами менее 400 Å. Обнаружена и объяснена полевая зависимость спин-зависимой рекомбинации.



© МИАН, 2024