RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 3, страницы 525–528 (Mi phts121)

Краткие сообщения

Особенности ультразвукового воздействия на Si$\langle$Li$\rangle$-детекторы с неравномерным распределением электрического поля

Б. Н. Заверюхин, В. Д. Кревчик, Р. А. Муминов, А. Ш. Шамагдиев

Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН РУз

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 06.07.1984
Принята в печать: 03.06.1985



© МИАН, 2024