RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 3,
страницы
525–528
(Mi phts121)
Краткие сообщения
Особенности ультразвукового воздействия на Si
$\langle$
Li
$\rangle$
-детекторы с неравномерным распределением электрического поля
Б. Н. Заверюхин
,
В. Д. Кревчик
,
Р. А. Муминов
,
А. Ш. Шамагдиев
Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН РУз
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
06.07.1984
Принята в печать:
03.06.1985
Полный текст:
PDF файл (442 kB)
©
МИАН
, 2024