Влияние давления на электрические свойства монокристаллов $p$-TlInSe$_{2}$

Изучено влияние гидростатического давления на электропроводность монокристаллов TlInSe$_{2}$ вдоль тетрагональной оси [001] в диапазоне ${0\div14}$ кбар. Выявлено, что зависимость электропроводности от величины давления при этом следует закономерности ${\sigma(P)=\sigma(0)\cdot \exp(-GP/2kT)}$, справедливой для случаев линейного сужения ширины запрещенной зоны с давлением. Барический коэффициент изменения ширины запрещенной зоны ${G=\partial E/\partial P}$ составляет ${G=2kT(\partial\ln\sigma(P)/\partial P=-1.75\cdot10^{-5}}$ эВ/бар, что по порядку величины совпадает с коэффициентом ${G=(3\div4)\cdot10^{-5}}$ эВ/бар, характеризующим сужение (расширение) непрямого энергетического зазора при одностороннем сжатии (растяжении) данных кристаллов вдоль [001].