Исследование полосы фотолюминесценции с максимумом около 1.3 эВ в GaAs : Те : Сu пьезоспектроскопическим методом

Для образцов $p$- и $n$-типа, полученных диффузией Сu при $700^{\circ}$С в арсенид галлия $n$-типа с концентрацией Те ${2\cdot10^{17}{-}2\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$, исследованы при 1.8 и 77 K зависимость поляризации фотолюминесценции в полосе с максимумом вблизи 1.3 эВ от величины одноосного давления вдоль осей [100], [110] и [111], а также спектральное распределение поляризации внутри полосы при постоянном давлении. Полученные результаты указывают на тригональную симметрию излучающего центра, простейшей моделью которого является комплекс из атомов Сu и Те, занимающих ближайшие соседние узлы решетки. Предложены две модели электронных уровней центра, качественно объясняющие основные закономерности поведения поляризации излучения при захвате электронов из зоны проводимости или с мелкого донора на центр.