RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 5, страницы 905–912 (Mi phts1216)

Многозначная анизотропия многодолинных полупроводников с учетом металлических контактов

З. С. Грибников


Аннотация: В многодолинных полупроводниках с током, направленным вдоль кристаллографической оси симметрии, к которой оси нескольких эквивалентных долин наклонены под одинаковыми косыми углами, состояния без поперечного электрического поля и с равным заполнением электронами этих долин становятся, начиная с критического греющего поля, неустойчивыми не только в длинных образцах (${l\gg d}$, $l$ — длина в направлении тока, $d$ — ширина), но и в коротких образцах (${l\ll d}$). Неустойчивость в коротких образцах исследована для простейшего двухдолинного случая. Устойчивым состоянием здесь является периодическая слоистая структура с чередованием знака поперечного поля Сасаки. В предположении малости периода этой структуры $2b$ по сравнению с длиной $l$ исследован ее стационарный поперечный дрейф, возникающий при малых углах между направлением нормали к плоскостям электродов и кристаллографической осью. Скорость этого дрейфа пропорциональна углу и может управляться малым поперечным магнитным полем и другими влияниями.



© МИАН, 2024