Аннотация:
В многодолинных полупроводниках с током, направленным
вдоль кристаллографической оси симметрии, к которой оси нескольких
эквивалентных долин наклонены под одинаковыми косыми углами, состояния без
поперечного электрического поля и с равным заполнением электронами этих долин
становятся, начиная с критического греющего поля, неустойчивыми не только
в длинных образцах (${l\gg d}$, $l$ — длина в направлении тока,
$d$ — ширина), но и в коротких образцах (${l\ll d}$). Неустойчивость
в коротких образцах исследована для простейшего двухдолинного случая.
Устойчивым состоянием здесь является периодическая слоистая структура с
чередованием знака поперечного поля Сасаки. В предположении малости
периода этой структуры $2b$ по сравнению с длиной $l$ исследован ее
стационарный поперечный дрейф, возникающий при малых углах между
направлением нормали к плоскостям электродов и кристаллографической осью.
Скорость этого дрейфа пропорциональна углу и может
управляться малым поперечным магнитным полем и другими влияниями.