RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 3, страницы 535–536 (Mi phts124)

Краткие сообщения

Прыжковая проводимость $n$-Si

В. Л. Нгуен

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 07.06.1985
Принята в печать: 24.06.1985



© МИАН, 2024