Слабополевое размерное магнитосопротивление в пластинах электронного кремния, ориентированных в плоскости (100)

Теоретически и экспериментально исследована анизотропия размерного магнитосопротивления в $n$-Si с концентрацией электронов ${(2\div3)\cdot10^{13}\,\text{см}^{-3}}$ при температуре 77 K. Обнаружены ориентации тока, для одних из которых основной вклад в магнитосопротивление вносит размерный эффект на длине остывания, для других — на междолинной длине. Определены времена энергетической ${\tau_{\varepsilon}\simeq2\cdot10^{-10}}$ с и междолинной релаксации ${\tau_{\text{м}}\simeq5\cdot10^{-9}}$ с. Проведено сопоставление с результатами других авторов и показано, что различие времен междолинной релаксации связано с различием их определения в уравнении баланса частиц. Обнаружено сильное влияние механизма рассеяния импульса на анизотропию размерного магнитосопротивления.