К определению холловской концентрации и подвижности в слоях инверсии на поверхности полупроводников

Проведен критический анализ результатов измерений концентрационной зависимости холловской концентрации $n_{H}$ и подвижности $\mu_{H}$ носителей заряда в канале инверсии МДП транзисторов. В области напряжений на затворе $V_{}g$ вблизи порога рассчитаны зависимости $n_{H}$ и $\mu_{H}$ от $V_{g}$ и напряжения исток–сток $V_{d}$. Показано, что при концентрации носителей в канале ${n\lesssim 2\cdot10^{9}(V_{d}/10\,\text{мВ})(1000\,\text{\AA}/t)\,\text{см}^{-2}}$, где $t$ — толщина слоя диэлектрика, из-за неизбежно возникающей электрической неоднородности канала, отличия $n_{H}$ и $\mu_{H}$ от их истинных значений (т. е. определенных в пределе ${V_{d}=0}$) становятся соизмеримыми с измеряемыми величинами. Результаты расчета могут быть использованы для обоснованной постановки экспериментов и анализа достоверности ранее опубликованных данных.