RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 6, страницы 1008–1011 (Mi phts1245)

Температурная зависимость амплитудно-частотных характеристик фотопроводимости в полупроводнике с двухуровневой примесью (Ge : Hg)

В. А. Курбатов, Н. А. Пенин, Н. Н. Соловьев


Аннотация: Проведены измерения АЧХ фотопроводимости германия, легированного ртутью с частично компенсированным первым уровнем, на длине волны 5.4 мкм. Получено аналитическое выражение для АЧХ для случая малых переменных сигналов (${\Delta p\ll p}$). Показано, что в области температур ${100\div300}$ K сечение захвата неравновесных дырок ионами Hg$^{=}$ зависит от температуры как $T^{-n}$, где ${n\approx1}$.



© МИАН, 2024