Характеристики гетероперехода в гетероструктуре с селективным легированием

Исследованы энергетический спектр электронов и характеристики гетероперехода в гетероструктуре GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As с селективным легированием. Расчет выполнен в приближении треугольной потенциальной ямы. Показано, что при температуре ${T=300}$ K и концентрации акцепторов в GaAs $10^{14}\,\text{см}^{-3}$ энергетический спектр электронов квазинепрерывен, если концентрация доноров в Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ${N_{D2}\simeq10^{16}\,\text{см}^{-3}}$, и существенно дискретен при больших (${\simeq10^{18}\,\text{см}^{-3}}$) значениях $N_{D2}$. При ${T=77}$ K дискретность спектра следует учитывать при любых реальных концентрациях $N_{D2}$. Электроны в ГСЛ локализованы в узком слое вблизи границы гетероперехода, ширина которого на несколько порядков меньше ширины потенциальной ямы. Изгиб зоны проводимости в толстых слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As значительно больше тепловой энергии электронов и создает для последних потенциальный барьер при их переходе в GaAs.