Особенности рекомбинации в аморфном гидрогенизированном кремнии

Экспериментально исследованы температурные зависимости и люксамперные характеристики стационарной фотопроводимости $a$-Si : Н, а также кинетика релаксации фототока после выключения возбуждения. Обнаруженные закономерности находят свое объяснение в рамках модели глубоких рекомбинационных центров с положительной двухэлектронной корреляционной энергией. Показано, что рекомбинация осуществляется за счет туннельных переходов между неравновесными локализованными носителями. Темп таких переходов существенным образом зависит от захвата электронов на мелкие уровни и определяется способом поставки неравновесных носителей на центры рекомбинации.