RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 6, страницы 1058–1063 (Mi phts1255)

О ян-теллеровском центре в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te

И. И. Засавицкий, К. Лишка, Х. Хайнрих


Аннотация: Научалась температурная зависимость кинетики фотопроводимости (ФП) в эпитаксиальных слоях Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te (0; ${0.19\lesssim x\lesssim0.23}$) при различных условиях приготовления образца. Показано, что отрицательный сигнал ФП наблюдается только в образцах $n$-типа (легированных и нелегированных) во всей области составов. Результаты экспериментов объясняются исходя из модели ян-теллеровского центра, ответственного за гашение остаточной ФП. Оценены некоторые параметры центра.



© МИАН, 2024