Кинетика ударной ионизации мелких примесных центров в германии

Исследована кинетика тока ударной ионизации мелких примесных центров в $n$- и $p$-Ge. Для того чтобы исключить влияние переходных характеристик контактов на кинетику тока пробоя, измерения проводились при такой межзонной собственной подсветке кристаллов, при которой время переходных процессов оказывалось много меньше характерного времени развития пробоя. С помощью разработанной методики изучения кинетики примесного пробоя впервые проведены прямые, абсолютные измерения коэффициента ударной ионизации доноров и акцепторов в Ge в широком диапазоне изменения электрического поля. Определена также зависимость коэффициента захвата электронов на доноры от электрического поля. Результаты хорошо согласуются с имеющимися расчетами кинетических коэффициентов.