Исследование плотности глубоких центров в катодно-распыленных пленках SiO$_{x}$ в зависимости от степени окисления кремния

Модификация измерительного режима емкостной спектроскопии СС$-$DLTS позволяет в МДП структурах раздельно исследовать перезарядку глубоких состояний в объеме диэлектрика, на поверхности полупроводника и вблизи от нее. Измерение перезарядки и последующая оценка плотности объемных состояний в диэлектрике применены для исследования катодно-распыленных пленок SiO$_{x}$ (${0.8\leqslant x\leqslant2}$),. которые имеют статистически однородное распределение связей Si$-$О и Si$-$Si. Обнаружен максимум плотности объемных состояний при ${x\approx1.25}$, что хорошо коррелирует с расчетными значениями порога протекания в этом материале.