К вопросу об изменении степени компенсации мелких примесей при изовалентном легировании арсенида галлия

При 2 K исследована краевая фотолюминесценция эпитаксиальных пленок GaAs : Sb и GaAs : In. Обнаружено, что легирование индием приводит к уменьшению, а сурьмой — к закономерному увеличению степени компенсации мелких амфотерных фоновых примесей. Обсуждаются возможные причины этого явления. Показано, что перераспределение амфотерных примесей по подрешеткам и изменение концентрации глубокого центра ${E_{c}-(0.1{-}0.2)}$ эВ скорее всего связаны с изменением стехиометрии кристалла при изовалентном легировании.