Ж. И. Алфров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. В. Тикунов, В. П. Чалый, “0.677 мкм — непрерывный инжекционный РО InGaAsP/GaAsP ДГ лазер, полученный жидкостной эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 6,страницы 1115

0.677 мкм — непрерывный инжекционный РО InGaAsP/GaAsP ДГ лазер, полученный жидкостной эпитаксией

Ж. И. Алфров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. В. Тикунов, В. П. Чалый

Аннотация: Описаны лазеры раздельного ограничения (${\lambda=0.67\div0.677}$ мкм) на основе гетероструктур InGaAsP/GaAsP, выращенных методом жидкостной эпитаксии. Низкие значения порогов (${\sim1\,\text{кА/см}^{2}}$) и малые последовательные сопротивления позволили в четырехсколотых образцах таких лазеров получить непрерывный режим генерации в более коротковолновой области (${\lambda\lesssim0.68}$ мкм), чем у других известных инжекционных излучателей.