Некоторые особенности кинетики отжига термических центров в $p$-Si

Методом изотермической релаксации емкости исследована кинетика отжига глубоких уровней, связанных с междоузельным атомом железа (Fe$_{i}$) и термическим центром (ТЦ) в $p$-кремнии в области температур ${30\div200^{\circ}}$С.
Показано, что энергетические уровни термического центра и междоузельного атома железа в $p$-Si совпадают и определяются значением ${E_{v}+(0.4 \pm0.01)}$ эВ. Но значение сечения захвата дырок для уровня Fe$_{i}$ приблизительно на 2 порядка больше, чем для уровня ТЦ (${\sim10^{-14}}$, ${\sim10^{-16}\,\text{см}^{2}}$ соответственно). Наблюдается сильное различие в кинетике их низкотемпературного отжига. В области температур ${30\div200^{\circ}}$С концентрация Fe$_{i}$ экспоненциально уменьшается, и постоянная времени отжига с температурой НТО изменяется по закону $\tau$, ${c=1.43\cdot 10^{-4}\exp(0.49/kT)}$, в то же время концентрация термического центра изменяется немонотонно, что обусловлено взаимодействием с другим термическим центром с уровнем ${E_{c}-0.35}$эВ.