RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 7, страницы 1182–1185 (Mi phts1291)

Диффузия олова в аморфном гидрированном кремнии, легированном фосфором

К. Х. Ходжаев, К. П. Абдурахманов, Ю. Я. Амиров, В. А. Дидик, Г. С. Куликов, Е. И. Теруков, Д. П. Уткин-Эдин


Аннотация: С помощью радиоактивного изотопа исследовано диффузионное распределение олова в аморфном гидрированном кремнии ($a$-Si : Н), легированном в процессе роста примесью фосфора. Показано, что концентрационное распределение олова, получающееся в результате отжига при $300^{\circ}$С, имеет диффузионный характер и скорость диффузии зависит от степени дефектности структуры $a$-Si : Н. Проведена оценка порядка величины коэффициентов диффузии олова в слоях $a$-Si : Н с различной структурой. Полученные результаты имеют практическое значение при прогнозировании стабильности и долговечности пленочных солнечных элементов на основе аморфного гидрированного кремния.



© МИАН, 2024