RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 7, страницы 1217–1225 (Mi phts1299)

Флуктуационный механизм избыточных туннельных токов в обратно смещенных $p{-}n$-переходах

М. Э. Райх, И. М. Рузин


Аннотация: Рассматривается вольтамперная характеристика $p{-}n$-перехода при больших обратных смещениях, когда прохождение тока определяется межзонным туннелированием электронов. Показано, что если область перехода, в пределах которой происходит туннелирование, является сильно компенсированной, то учет флуктуаций концентрации примесей приводит к экспоненциально большему выигрышу в величине туннельного тока (по сравнению с рассчитанным без учета флуктуаций). Показано также, что если площадь $p{-}n$-перехода достаточно мала, показатель экспоненты туннельного тока существенно зависит от площади. При уменьшении площади он увеличивается по абсолютной величине, приближаясь к значению, рассчитанному без учета флуктуации концентрации примесей.



© МИАН, 2024